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Influence of Silicon Doping on the Structure and the Magnetic Property of γ-Fe_2O_3 Particle
掺硅对γ-Fe2O3微粒的结构和磁性能的影响
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掺入的Si~（4+）阳离子有很强的占据类尖晶石结构中四面体位的趋势，对氧参数及四面体位和八面体位的平均间隙大小也有一定影响。
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结合VB-GaAs晶体生长工艺，对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨，提出了掺杂计算的修正因子。
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在此基础上，采用电路模拟方法仿真分析了影响LAPS特性的因素：硅掺杂浓度、绝缘层厚度以及光强等，仿真结果正确地反映了LAPS的实际特性。
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本文在大量实验测量的基础上，对影响NTD硅掺杂精度的因素作了较为详细的研究，给出了一些定量和定性的结果。
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- donor doping施主掺杂;
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- silicon chipn.硅片;
- doping material掺杂材料，涂料;
- doping gradient掺杂梯度;
- doping coil浸渍线圈;
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- silicon valley硅谷（美国一高科技区名）;
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- doping agent掺杂剂;
- doping of gasoline汽油加铅;
- silicon chipsn.硅片( silicon chip的名词复数 );
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